Những nhà thiết kế ứng dụng điện áp cao ngày càng cần những giải pháp chuyển đổi năng lượng mạnh mẽ hơn để đáp ứng yêu cầu ngày càng cao về hiệu suất và hiệu quả. Trong bối cảnh này, SiC MOSFET thế hệ thứ 4 của ROHM Semiconductor đang nổi lên như một giải pháp xuất sắc cho các ứng dụng như xe điện (EV). Hãy cùng nhau tìm hiểu chi tiết về những ưu điểm và cải tiến độc đáo mà SiC MOSFET thế hệ thứ 4 mang lại.

Lợi ích của SiC so với Si trong xe điện

Xe điện đang ngày càng trở nên phổ biến, đặt ra yêu cầu lớn về pin có dung lượng cao và điện áp lớn để mở rộng phạm vi hoạt động. Điều này đồng nghĩa với việc cần những thiết bị chuyển đổi năng lượng mạnh mẽ, có thể chịu được điện áp cao, giảm tổn thất điện và trọng lượng. SiC MOSFET thế hệ thứ 4 của ROHM Semiconductor đáp ứng những yêu cầu này một cách xuất sắc.

Các ứng dụng SiC MOSFET thế hệ thứ 4 điển hình trong BEV và các phụ kiện bên ngoài đi kèm

Tại sao nên sử dụng SiC MOSFET thế hệ thứ 4?

Xe điện ngày càng cần nhiều pin để tăng phạm vi hoạt động và thời gian sạc nhanh hơn. Điều này đặt ra nhu cầu sử dụng các thiết bị có khả năng chịu điện áp cao, giảm tổn thất điện và trọng lượng. SiC MOSFET thế hệ thứ 4 của ROHM Semiconductor giúp giảm tổn thất thấp hơn, đồng thời có kích thước nhỏ hơn và khả năng chịu điện áp cao hơn.

BÀI VIẾT LIÊN QUAN

Chưa có nội dung nào

MOSFET SiC thế hệ thứ 4 giảm tổn thất đáng kể so với Si IGBT ban đầu và thiết bị thế hệ thứ 3

Ưu điểm của SiC so với Si

So với silicon (Si), SiC MOSFET hoạt động ở điện áp cao hơn, trọng lượng nhẹ hơn, và có khả năng xử lý năng lượng tương tự. Các thiết bị SiC cũng có khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao hơn, giảm nhu cầu hệ thống làm mát. Điều này giúp giảm kích thước và trọng lượng của bộ chuyển đổi năng lượng.

Những ưu điểm của SiC so với MOSFET Si dựa trên năm tính chất vật lý

Phát triển của SiC

SiC đang ngày càng phát triển với các nỗ lực gần đây hơn dẫn đến điện trở “bật” thấp hơn, giúp giảm tổn thất điện năng. Các MOSFET SiC thế hệ thứ 4 của ROHM Semiconductor là một bước tiến quan trọng trong sự phát triển này.

MOSFET SiC thế hệ thứ 4 của ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor đã giới thiệu MOSFET SiC thế hệ thứ 4 với nhiều cải tiến độc đáo. Điều này bao gồm khả năng chịu điện áp cao hơn, tổn thất dẫn truyền và chuyển mạch thấp hơn, cũng như kích thước nhỏ hơn so với các thế hệ trước đó.

MOSFET rãnh đạt được mật độ thiết bị cao hơn bằng cách sắp xếp các thành phần thiết bị theo chiều dọc

Tại sao nên lựa chọn MOSFET SiC thế hệ thứ 4?

Tăng điện áp: Với MOSFET SiC thế hệ thứ 4, bạn có thể tận dụng điện áp đánh thủng lớn hơn, giúp thiết kế các thiết bị có điện áp cao hơn và giảm độ dày của chúng.
Giảm tổn thất điện năng: Khả năng dẫn và chuyển mạch cải thiện giúp giảm tổn thất điện năng, tăng hiệu suất toàn hệ thống.
Kích thước nhỏ và nhẹ: MOSFET SiC thế hệ thứ 4 của ROHM Semiconductor có kích thước nhỏ hơn, giúp giảm trọng lượng của hệ thống chuyển đổi năng lượng.

Sơ đồ của bộ chuyển đổi DC/DC Buck được dán nhãn để hiển thị các dạng sóng chuyển mạch và các dạng sóng tổn thất liên quan

SiC MOSFET thế hệ thứ 4 của ROHM Semiconductor mang lại nhiều lợi ích cho ngành công nghiệp xe điện. Từ khả năng chịu điện áp cao đến khả năng giảm tổn thất điện năng và kích thước nhỏ gọn, MOSFET SiC thế hệ thứ 4 là một sự lựa chọn xuất sắc để nâng cấp hiệu suất của hệ thống chuyển đổi năng lượng trong các ứng dụng xe điện ngày càng phổ biến. Sự tiên tiến này không chỉ giúp giảm tác động môi trường mà còn mang lại trải nghiệm lái xe điện tốt hơn cho người dùng.

Từ khoá: bán dẫn Cacbua Silic (SiC)công nghệ xe điện hiệu suất xe điện SiC MOSFET